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  • 1.单晶铜纯度达到99.9999%

       单晶铜在制造过程中采用高真空对原料进行熔炼,熔炼过程中真空度高达10-4Pa,能够有效去除原料中的气体杂质和低熔点杂质;在凝固过程中,通过在结晶器中采用金属熔体多通道分离器对熔体电磁分离净化,

    使无磁性的氧化夹杂粒子和有磁性的夹杂粒子向熔体边缘迁移,进而使金属熔体得到净化,进一步提高单晶铜纯度;

    2.电阻比普通铜材低8%到13% 

       金属中电流的产生是其中自由电子在外电场作用下定向漂移的结果,自由电子在运动过程中与晶格上的原子核相撞,造成对电子定向运动的破坏,从而产生电阻和电流热效应。单晶铜消除了横向

    晶界、提高了纯度、避免了铸造缺陷,从而降低了自由电子在运动过程中与晶界、杂质、缺陷等相撞而造成对电子定向运动的破坏,降低了单晶铜的电阻率。

                                                                                                                                                                                      注:检测方法直流双臂电桥(25℃)

     

    3.优秀的低温特性

     高纯单晶铜具有最小的晶界面积,同时晶格缺陷也很少。高纯单晶铜的残余电阻率(RRR= ρ293K42K)要比普通铜高20倍左右。实验表明:在42K时相同粗细的导线,高纯单晶铜的电阻为2.3×10-12Ωm,

    而普通铜的电阻为1.1×10-10Ωm。极低温度下高纯单晶铜的导电率要比普通铜高20倍左右。高纯单晶铜的某些性能与金相似,具有良好的导电性、延展性、抗腐蚀能力和表面性能,同时由于单晶铜晶格

    整齐,晶格能较低,其软化温度也很低,在近350K软化,而普通铜在近440K时软化。高纯单晶铜在极低的温度下具有高的导热性,在8K时高纯单晶铜的导热率为3.0×104W/mK,而普通铜在8K时为3.1×103W/mK。

    可以作为超导芯线的热稳定体,在过冷超流氦中具有较低的热耗散,能通过很强的电流密度。

    4.组织致密,单晶铜密度8.932g/cm3,达到铜的理论密度8.932g/cm3 

       单晶铜在制造过程中采用了定向连续散热方式,晶体也沿着特定的方向按照完全的长程有序方式生长,具有稳定的晶体结构和致密的组织,并避免了铸造缺陷的产生,制备的超微细丝具有光洁的表面质量。

           

    5.延展性高,普通铜材扭转16圈即断,单晶铜材可扭转116圈

       单晶铜具有稳定连续的组织结构,晶体结构表现出严格的各向同性,当晶体受到外力作用时,金属正离子间滑动而不断裂(因为周围仍然有自由电子),表现出良好的延展性。高纯单晶铜冷压延变形率达
    到6000%以上,且铜带边缘不产生任何裂纹(普通无氧铜在冷压延变形率达到1000%时就在边缘产生裂纹),直径为∮8mm的单晶铜杆不加任何退火可压延成∮0.006mm的铜箔。

          扭转116次的高纯单晶铜杆

    经过压延的0.2mm铜箔(边缘无裂纹)

                                                                         注:检测方法MTS-0.01/5s


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